[发明专利]浅沟渠隔离结构及其沟渠的制造方法

摘要

一种浅沟渠隔离结构及其制造方法，此浅沟渠隔离结构是同时具有圆角形顶角与非圆角形预角。浅沟渠隔离结构的制造方法，包括硬罩幕上面形成一图案形光阻，以使此部分硬罩幕曝露在存储单元的一部分之上以及外围区的一部分之上，之后，删除在外围区中曝露出的硬罩幕，同时删除在存储单元中曝露出的部分硬罩幕。然后，在外围区中形成具圆角形顶角的一沟渠，以及删除更多在存储单元的硬罩幕。再之后，将外围区的沟渠变为更深，同时在存储单元形成一沟渠。

主权项

1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底具有一存储单元以及一外围区；形成一硬罩幕于该基底上，以覆盖部分存储单元以及部分外围区；在该硬罩幕上方形成图案形的一光阻层，该光阻层在存储单元曝露出一部份的硬罩幕以及在外围区曝露出一部份的硬罩幕；执行一第一蚀刻过程，以删除在该外围区被该光阻层曝露的所有硬罩幕以及删除在存储单元被该光阻层曝露的部份硬罩幕；执行一第二蚀刻过程，以在外围区形成具有若干个圆角形顶角的一沟渠，以及删除更多在该存储单元的硬罩幕；执行一第三蚀刻过程，以加深在外围区形成的沟渠且保留这些圆角形顶角以及在该存储单元形成一沟渠；以及以一绝缘物填入该外围区的沟渠以及存储单元的沟渠。