[发明专利]半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置，其可以只在配线间的细微的间隙形成配线间绝缘膜，制造过程中不受绝缘膜产生的气体、水分的吸收及放出的影响，能控制材料、电力、PFC的使用。在由液体材料的涂布形成的配线间绝缘膜(4)(SOG膜)形成前，在配线和衬底表面形成防水膜(7)，然后，进行利用毛细现象的狭缝涂布法，液体材料只被有选择地填充到细微的配线(2)之间。还有，因为在形成穴(8)的配线(2)上表面、衬底(1)表面不形成SOG膜，因此，SOG膜不会露出在穴(8)的内壁。

主权项

1.一种半导体装置的绝缘膜形成方法，用于形成包含配线间绝缘膜和层间绝缘膜的绝缘膜，使由于形成在衬底上的配线而产生的凹凸平整化，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上形成配线的步骤；在所述配线的表面和所述衬底的表面上形成防液膜的步骤；通过在形成所述防液膜的表面上涂布液状材料而形成配线间绝缘膜的步骤；在所述配线和所述配线间绝缘膜上形成层间绝缘膜的步骤；以及研磨所述层间绝缘膜的上表面使其平整化的步骤。