[发明专利]一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法无效
| 申请号： | 200410081008.1 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1756008A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 侯廉平;王圩;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、2.4μm磷化铟空间层和有源区的下光限制层、压应变量子阱有源区、上光限制层，p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤2：采用湿法腐蚀工艺刻出激光器及模斑转换器上脊形状；步骤3：然后利用自对准工艺刻出下脊形状；步骤4：生长SiO2绝缘层，接着开出电极窗口；步骤5：外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后，经划片解理成250μm×600μm的管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 外延 形成 半导体激光器 转换器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法，其特征在于，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、2.4μm磷化铟空间层和有源区的下光限制层、压应变量子阱有源区、上光限制层，p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤2：采用湿法腐蚀工艺刻出激光器及模斑转换器上脊形状；步骤3：然后利用自对准工艺刻出下脊形状；步骤4：生长SiO2绝缘层，接着开出电极窗口；步骤5：外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后，经划片解理成250μm×600μm的管芯。
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