[发明专利]高功率发光二极管阵列模块无效

专利信息
申请号: 200410081082.3 申请日: 2004-10-09
公开(公告)号: CN1758436A 公开(公告)日: 2006-04-12
发明(设计)人: 王虹东;洪建成;杜顺利;颜志远;庄智宏;钟怀谷;杨呈尉;韩祖安 申请(专利权)人: 光磊科技股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L25/13;H01L23/00;H01L33/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种高功率发光二极管阵列模块。该阵列模块含有一个电路板,多个阳极与阴极,多个高功率发光二极管芯片,一个封装材料,以及多个透镜。电路板具有多个阵列配置的置放孔。每个置放孔中具有一个阳极与一个阴极,每个置放孔中的阳极彼此电性连接,且每个置放孔中的阴极也彼此电性连接。每个置放孔中具有至少一个高功率发光二极管芯片,且以串联或并联方式连接至每个置放孔中的阳极与阴极。封装材料填充于每个置放孔中,用以固结高功率发光二极管芯片。每个置放孔上具有一个透镜,以聚焦由高功率发光二极管芯片产生的光线。本发明提供的高功率发光二极管阵列模块,减小了体积,提高了散热效率和光学耦合性能,降低了制造成本。
搜索关键词: 功率 发光二极管 阵列 模块
【主权项】:
1、一种高功率发光二极管的阵列模块,其特征在于该阵列模块至少包括:一个电路板,具有多个置放孔;多个阳极,每个阳极配置于每个所述置放孔内,且彼此电性连接;多个阴极,每个阴极配置于每个所述置放孔内,且彼此电性连接;多个高功率发光二极管芯片,这些高功率发光二极管芯片单独置放于每个所述置放孔内,且电性连接至每个所述置放孔内的每个所述阳极和每个所述阴极;一个封装材料,填充于每个所述置放孔内,用以固结每个所述置放孔内的所述高功率发光二极管芯片;以及多个透镜,每个透镜接合于每个所述置放孔上,用以聚焦每个所述置放孔内的所述高功率发光二极管芯片产生的光线。
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