[发明专利]非共面电极半导体激光器芯片高频特性测试台无效
| 申请号： | 200410081182.6 | 申请日： | 2004-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1760679A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;刘宇;袁海庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01R1/02 | 分类号： | G01R1/02;G01R31/26;H01L21/66;G01M11/00;H04B10/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非共面电极半导体激光器芯片高频特性测试台，其特征在于，包括：一带有台阶结构的导体台，该导体台包括水平的下台阶面和倾斜的上台阶面；一落差标尺，该落差标尺制作在上台阶面上。利用该测试台，可以用共面微波探针对各种非共面电极的激光器芯片进行直接、便捷的测量，避免了使用热沉和金丝所带来的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 非共面 电极 半导体激光器 芯片 高频 特性 测试 | ||
【主权项】：
1、一种非共面电极半导体激光器芯片高频特性测试台，其特征在于，包括：一带有台阶结构的导体台，该导体台包括水平的下台阶面和倾斜的上台阶面；一落差标尺，该落差标尺制作在上台阶面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410081182.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
