[发明专利]激光照射方法以及晶质半导体膜的制作方法有效
| 申请号： | 200410081684.9 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1638040A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;山本良明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00;G02F1/37;G02B27/00;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 即使适当地对光束点自身的能源分布进行整形以在相同条件下执行激光照射，然而供应给被照射物面中的能源也会产生(激光照射的)不均匀。另外，如果在这种照射能源不均匀的情况下晶化半导体膜以形成晶质半导体膜，就会在该膜内产生结晶性的不均匀，从而使利用该膜制成的半导体元件产生特性的不均匀。在本发明中，当对设置或形成在衬底上的被照射物照射激光束时，将该激光束的脉宽设定为psec(10－12sec)左右，或者照射短于此的极短脉冲的激光束。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 方法 以及 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光照射方法，包括以下步骤：对形成在折射率为n且厚度为d的衬底上的被照射物照射从脉冲激光振荡器发射出的激光束，其中，如将真空中的光速定义为c，则所述激光束的脉宽t满足不等式ct＜2nd。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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