[发明专利]具有清除装置的气体处理装置有效
| 申请号： | 200410081777.1 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1632912A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赖宏裕;侯建州;洪国展;曾景义 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种气体处理装置，至少包括：一第一处理槽，具有一气体入口；一第二处理槽，与该第一处理槽邻接，具有一喷嘴装置；一沉积物清除装置，与该第一处理槽邻接，具有一第一侧面，该第一侧面形成该第一处理槽的至少部分侧壁，该沉积物清除装置包括：一刮刀，设置于该第一侧面，朝向该第一处理槽的内部；和一控制机构，设置于该第一侧面，朝向该第一处理槽的外部，借以控制该刮刀的工作；一承接槽，连通于该第一处理槽与该第二处理槽的下方；以及一气体出口，与该第二处理槽相通。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 清除 装置 气体 处理 | ||
【主权项】：
1.一种气体处理装置，至少包括：一第一处理槽，具有一气体入口；一第二处理槽，与所述第一处理槽邻接，具有一喷嘴装置；一沉积物清除装置，与所述第一处理槽邻接，具有一第一侧面，所述第一侧面形成所述第一处理槽的至少部份侧壁，所述沉积物清除装置包括：一刮刀，设置于所述第一侧面，朝向所述第一处理槽的内部；和一控制机构，设置于所述第一侧面，朝向所述第一处理槽的外部，借以控制所述刮刀的工作；一承接槽，连通于所述第一处理槽与所述第二处理槽的下方；以及一气体出口，与所述第二处理槽相通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
