[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200410081855.8 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1652303A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 井口直;角田弘昭;松野光一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/76;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅绝缘膜；在所说栅绝缘膜上形成栅电极，从而与所说半导体衬底电绝缘；腐蚀所说栅电极、所说栅绝缘膜和所说半导体衬底从而形成沟槽，该沟槽将用于形成器件的器件区与所说衬底上表面上的其它区电隔离；在氢气H2和氧气O2气氛中氧化所说半导体衬底的衬底侧表面和所说栅电极的栅极侧表面，该衬底侧表面形成所说沟槽的一部分侧表面，该栅极侧表面形成所说沟槽的另一部分侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅绝缘膜；在所说栅绝缘膜上形成栅电极，从而与所说半导体衬底电绝缘；腐蚀所说栅电极、所说栅绝缘膜和所说半导体衬底从而形成沟槽，该沟槽将用于形成器件的器件区与所说衬底上表面上的其它区电隔离；在氢气H2和氧气O2气氛中氧化所说半导体衬底的衬底侧表面和所说栅电极的栅极侧表面，该衬底侧表面形成所说沟槽的一部分侧表面，该栅极侧表面形成所说沟槽的另一部分侧表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410081855.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
