[发明专利]在半导体器件中形成接触的方法无效
| 申请号： | 200410081892.9 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1641855A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 黄昌渊;崔奉浩;金正根 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在半导体器件中形成接触的方法，包括下列步骤：在基板上形成位线；在包括该位线与该基板的基板结构上形成由高密度等离子体(HDP)氧化物制造的氧化物层；在所述氧化物层上形成硬掩模；以及执行蚀刻制程，用以形成储存节点接触，其中该蚀刻制程在位线、该氧化物层与该硬掩模形成预定厚度与预定张应力后被执行，使得该位线、该氧化物层与该硬掩模层的总压应力值少于举升现象的临界值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中形成接触的方法，包括下列步骤：在基板上形成位线；在包括所述位线与所述基板的基板结构上形成由高密度等离子体(HDP)氧化物制成的氧化物层；在所述氧化物层上形成一硬掩模；以及执行一蚀刻制程，用以形成一储存节点接触，其中该蚀刻制程在该位线、该氧化物层与该硬掩模被形成具有预定厚度与预定张应力后被执行，使得该位线、该氧化物层与该硬掩模层的总压应力值小于举升现象的临界值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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