[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410081934.9 | 申请日： | 2004-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1630099A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;野口隆;鲜于文旭;金道暎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法，可以减少工序和掩模的数量，从而降低生产成本。该薄膜晶体管包括衬底；在衬底上形成的缓冲层；在缓冲层上彼此间隔开的源极和漏极；在缓冲层上形成的使源极和漏极彼此连接起来的沟道层；及在缓冲层上形成的与源极、漏极和沟道层间隔开的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；在所述缓冲层上彼此间隔开的源极和漏极；形成在所述缓冲层上以把该源极和该漏极彼此连接起来的沟道层；及形成在所述缓冲层上的、与该源极、该漏极和该沟道层间隔开的栅极。
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