[发明专利]在半导体器件中形成隔离层的方法无效
| 申请号： | 200410081950.8 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1767165A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 杨永镐 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处公开的是一种形成半导体器件的元件隔离膜的方法。根据本发明，用一湿法刻蚀速率高的氧化铝膜作为垫氧化物膜，形成沟槽，并在利用清洗工序去除部分氧化铝膜的时候修圆沟槽的顶部和底部边沿。因此可能无需使用聚合物修圆沟槽的顶部和底部边沿。同样还可能将形成栅氧化膜之前在清洗工序中因场效应区和有源区之间的台阶而生成的沟堑降到最浅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成的半导体器件的元件隔离膜的方法，其包括的步骤有：在一半导体衬底上形成一垫氧化物膜和一垫氮化物膜；刻蚀所述垫氮化物膜和垫氧化物膜的预定区域并随之刻蚀所述半导体衬底以形成沟槽；进行一清洗工序，在去除部分所述垫氧化物膜的时候修圆所述沟槽的顶部和底部边沿；在所述的整个表面上形成一氧化物膜以掩埋所述沟槽；以及抛光所述氧化物膜并随后去除所述氧化物膜、所述垫氮化物膜和所述垫氧化物膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410081950.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
