[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410082007.9 | 申请日： | 2004-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1700478A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 川村和郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强;经志强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在源/漏极扩散层(64)上形成镍膜(66)的步骤；第一热处理步骤，通过热处理，使镍膜(66)下侧面上的一部分和源/漏极扩散层(64)上侧面上的一部分相互反应，以在源/漏极扩散层(64)上形成Ni2Si膜(70b)；蚀刻掉尚未反应的该部分镍膜(66)的步骤；以及第二热处理步骤，通过热处理，使Ni2Si膜(70b)与源/漏极扩散层(64)上侧面上的一部分相互反应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：栅极，形成于半导体衬底上；源/漏极扩散层，形成于该栅极两侧上的半导体衬底中；以及硅化物膜，形成于该源/漏极扩散层上，该硅化物膜由单硅化镍形成，以及该硅化物膜的膜厚度为20nm或20nm以下。
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