[发明专利]减少微尘产生的等离子蚀刻方法无效
| 申请号： | 200410082015.3 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1797716A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 简俊贤;陈重吉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种减少微尘产生的等离子蚀刻方法，适于在衬底中形成沟渠，其包括以一第一蚀刻条件，对一衬底进行一第一蚀刻步骤，以及以一第二蚀刻条件，对衬底进行第二蚀刻步骤，其中在第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤之间进行一转换步骤，于其中调整反应室压力条件、气体流量、等离子电源功率或反应室温度等环境参数至少其中之一，并使环境参数在蚀刻步骤与转换步骤之间的变化量小于15％，以维持反应环境的稳定，并可由此避免微尘掉落。之后，在进行氧等离子清洁步骤时，使反应室压力提升为40mTorr至80mTorr，进而避免球型缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 微尘 产生 等离子 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少微尘产生的等离子蚀刻方法，包括：于设定多个环境参数的一第一环境下，对一衬底进行一第一蚀刻步骤；于设定该些环境参数的一第二环境下进行一转换步骤，其中该第二环境的该些环境参数与该第一环境的该些环境参数的变化量小于15％；以及于设定该些环境参数的一第三环境下，对该衬底进行一第二蚀刻步骤，其中该第三环境的该些环境参数与该第二环境的该些环境参数的变化量小于15％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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