[发明专利]具有低栅极电荷和低导通电阻的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410082136.8 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1645624A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 普拉萨德·文卡塔拉曼;伊雷娜·S·旺 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有减少的栅极电荷和减小的导通电阻的半导体器件及其制造方法，在一个实施例中，半导体器件包括第一导电类型的半导体材料，在半导体材料中设置第二导电类型的本体区。本体区与JFET区相邻。第一导电类型的源极区设置在本体区中。在半导体材料上设置栅极层，并且在JFET区上具有第一开口，在本体区上具有第二开口。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 电荷 通电 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，特征在于：具有第一导电类型和第一主表面的半导体材料；第二导电类型的本体区，设置在半导体材料中，从半导体材料的第一主表面延伸进入半导体材料的一部分；与本体区相邻的JFET区；设置在本体区中的第一导电类型的源极区；以及设置在半导体材料的第一主表面上的栅极层，在JFET区上具有第一开口，在本体区上具有第二开口。
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