[发明专利]用于铜的低下压力抛光的组合物和方法无效
| 申请号： | 200410082137.2 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1644644A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | W·B·戈德堡;F·J·凯利;J·匡西;J·K·索;T·M·托马斯;王红雨 | 申请（专利权）人： | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了适用于在至少小于20.68kPa的下压力下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含1至15wt％的氧化剂，0.1至1wt％的非铁金属抑制剂，0.05至3wt％该非铁金属的配位剂，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的改性纤维素，0.05至10wt％的含磷化合物和0至10wt％的研磨剂，其中该含磷化合物可增加铜的去除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低下 压力 抛光 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.用于在至少小于20.68kPa的下压力下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含1至15wt％的氧化剂，0.1至1wt％的非铁金属抑制剂，0.05至3wt％的该非铁金属的配位剂，0.01至5wt％的羧酸聚合物，0.01至5wt％的改性纤维素，0.05至10wt％的含磷化合物和0至10wt％的研磨剂，其中该含磷化合物可提高铜的去除。
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