[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200410082185.1 申请日: 2004-12-31
公开(公告)号: CN1637939A 公开(公告)日: 2005-07-13
发明(设计)人: 村久木康夫;坂上雅彦;岩成俊一 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C7/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种具有简单的电路结构并且能够随机访问熔断器数据的半导体存储装置。在本发明的半导体存储装置中,包含一个熔断器31的熔断器单元30与存储电路的一对位线连接。所述熔断器31和一个熔断器数据输出电路(其包含一个电阻器32和一个倒相器33)通过一个熔断器选择开关34与所述存储电路的一对位线BLT和BLB连接。在本发明的半导体存储装置中,通过把用于选择存储单元的一对位线的列解码器12也用作用于选择熔断器的解码器电路,可以将所述存储电路的位线用作用于输出熔断器数据的信号线,从而减小电路尺寸和减小电路面积。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1、一种半导体存储装置,包括:多个存储单元;连接所述存储单元的位线;用于将相应位线上的信号放大的一个读出放大器;用于从所述位线选择至少一条位线的一个选择电路;将要与由所述选择电路选择的所述位线连接的一条数据线;多个熔断器;熔断器数据输出电路,每一个都根据一个相应熔断器的断开/未断开状态输出一个信号;用于从所述熔断器数据输出电路选择至少一个电路的一个熔断器选择电路;以及当读取相应熔断器数据时,用于将由所述熔断器选择电路选择的一个相应熔断器数据输出电路连接到所述数据线的一个熔断器选择开关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410082185.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top