[发明专利]线圈上升部分的结构无效

专利信息
申请号: 200410082449.3 申请日: 2004-09-22
公开(公告)号: CN1664962A 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 后藤芳英;佐藤浩孝 申请(专利权)人: 后藤电子株式会社
主分类号: H01B5/04 分类号: H01B5/04;H01F5/00;H04R9/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种线圈上升部分的结构。将上升部分中的电线形成一弯曲,从而使该弯曲的内侧沿着具有半径“r”的圆的圆周,直到从电线卷绕的线圈上升的电线转向所需方向,所述电线由绝缘膜覆盖截面形状为正方形的导体而获得。圆的半径“r”具有一长度,该长度等于或大于作为电线的导体截面形状的正方形的一个边R的1/2。
搜索关键词: 线圈 上升 部分 结构
【主权项】:
1.一种线圈上升部分的结构,其中,利用绝缘膜覆盖截面形状为正方形的导体而获得的电线从电线卷绕的线圈上升,并且将该电线按所需方向转弯时,所述电线形成一弯曲,从而使该弯曲的内侧沿着具有半径“r”的圆的圆周,直到从所述线圈上升的所述电线在所述所需方向转弯,所述半径“r”的长度等于或大于作为所述导体截面形状的正方形的一边的1/2。
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