[发明专利]具有RuAl/NiAlB双晶种层的薄膜介质无效
| 申请号： | 200410082466.7 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1604200A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 玛丽·F·多尔纳;唐凯;肖启凡 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/73 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明披露了一种包括RuAl/NiAlB双晶种层的用于磁性薄膜记录介质的薄膜结构。RuAl/NiAlB结构的应用使得晶粒大小降低，Mrt取向比(OR)增加，SNR提高，和在较高振幅下有较低的PW50。RuAl和NiAlB晶种层的每层都具有B2结晶结构。可以利用RuAl/NiAlB双晶种层来获得(200)择优面心取向的底层，及获得(11－20)择优面心取向的钴合金磁性膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 rual nialb 双晶 薄膜 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁性薄膜层结构，包含：RuAl层；外延沉积在RuAl层上的NiAlB层；和NiAlB层之后沉积的铁磁层。
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