[发明专利]电子发射装置

摘要

一种电子发射装置，优化电子发射区到栅极束通道孔的位置关系，进而增强屏幕亮度和色彩表示性能。其包括以一定距离彼此相对的第一和第二基板，以及形成在所述第一基板上的第一和第二电极。电子发射区与第二电极相接触，并设置为对应于配置在第一基板上的像素区。栅极被设置在第一和第二基板之间，并具有对应于各个电子发射区的电子束通道孔。使用所述电子发射装置，电子发射区到栅极的电子束通道孔的距离关系可被优化，以便增强屏幕亮度和色彩表示性能。

主权项

1.一种电子发射装置，包括：彼此相对并各自具有相应长轴和相应短轴的第一基板和第二基板；形成在所述第一基板上的第一电极和第二电极；至少部分接触所述第二电极并且设置为与建立在所述第一基板上的像素区相对应的电子发射区；和设置在所述第一基板和所述第二基板之间的栅极，其具有多个对应于各个所述电子发射区的电子束通道孔，以及设置在所述电子束通道孔间的桥；其中所述电子发射区与在所述第一基板的短轴方向上的所述电子束通道孔的几何中心分开距离δ，所述距离δ满足以下公式1和2中任一公式：$\max (-\frac{P_v}{2},-\frac{P_v}{2}+\frac{W_s}{2})\le \delta \le -\frac{{189P}_v(g+t)}{500(P_v-b)}\sqrt{\frac{V_{\mathrm{gk}}}{V_{\mathrm{mk}}}}---\left(1\right)$ $+\frac{{111P}_v(g+t)}{500(P_v-b)}\sqrt{\frac{V_{\mathrm{gk}}}{V_{\mathrm{mk}}}}\le \delta \le \min (+\frac{P_v}{2},+\frac{P_v}{2}-\frac{W_s}{2})---\left(2\right)$ 其中Pv表示所述第一基板的所述短轴方向上的像素节距，Ws表示所述第一基板短轴方向上的支撑体的宽度，g表示所述第一基板和所述栅极之间的距离，t表示所述栅极的厚度，b表示所述第一基板短轴方向上所述电子束通道孔之间的桥的长度，Vgk表示所述第一电极和所述第二电极之间的电势差，Vmk表示所述第二电极和所述栅极之间的电势差，Pv、Ws、g、t和b都是以μm单位为基数，Vgk和Vmk都是以V单位为基数，正(+)方向指示从所述第二电极的中心朝向所述电子发射区的方向，负(-)方向为与所述正方向相反的方向，并且所述支撑体被设置在所述第一基板和所述栅极之间以便支撑所述栅极。