[发明专利]具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法有效
| 申请号： | 200410082530.1 | 申请日： | 2004-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1598981A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郑镛国;元皙俊;权大振;金元洪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/018;H01G13/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种具有至少3层高－k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高－k介电层。该至少3层高－k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高－k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高－k介电层。因此，由于使用至少3层高－k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 至少 层高 介电层 模拟 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种模拟电容器，包含：a)下电极；b)面对下电极的上电极；和c)置于下电极与上电极之间的至少3层高-k介电层，该至少3层高-k介电层包含：i)接触下电极的底介电层；ii)接触上电极的顶介电层；和iii)置于底介电层与顶介电层之间的中介电层，其中各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，电容电压系数(VCC)的二次系数的绝对值相对低的高-k介电层，并且中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高-k介电层。
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