[发明专利]场致发射型显示器及其制造方法无效
| 申请号： | 200410082580.X | 申请日： | 2004-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1612284A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 安商爀;李相祚 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J9/02;H01J1/304;H01J31/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场致发射型显示器及其制造方法，防止绝缘层中的裂痕并增加阴极电极的导电性以便增强屏幕亮度和降低激励电压。所述场致发射型显示器包括：彼此相对并相互分开的第一和第二基板，一个或多个形成在所述第一基板上的栅电极，以及形成在一个或多个栅电极上的阴极电极，同时在其间插有绝缘层。阴极电极具有双层构造，电子发射源与所述阴极电极相接触，至少一个阳极电极形成在第二基板上，以及荧光屏形成在所述阳极电极上。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场致发射型显示器，包括：彼此相对的第一基板和第二基板；形成在所述第一基板上的栅电极；形成在所述栅电极上并插入绝缘层的阴极电极，所述阴极电极具有双层构造；与所述阴极电极相接触的电子发射源；形成在所述第二基板上的阳极电极；和形成在所述阳极电极上的荧光屏。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410082580.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：识别未经允许的工作状态的装置
- 下一篇：半导体存储设备及其制造方法
