[发明专利]掩膜形成方法其形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法无效

专利信息
申请号: 200410082651.6 申请日: 2004-09-24
公开(公告)号: CN1611639A 公开(公告)日: 2005-05-04
发明(设计)人: 大川秀一;服部一博;中田胜之;高井充 申请(专利权)人: TDK股份有限公司
主分类号: C23F1/02 分类号: C23F1/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 谢喜堂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明以提供可获得图形起伏小的掩膜形成方法为其目的,将磁性层(13)覆盖并形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层(14),再将掩膜形成用功能层(14)覆盖形成掩膜形成用功能层(15),然后,通过规定的处理在掩膜形成用功能层(15)上形成凹凸图形,从而在掩膜形成用功能层(14)上形成掩膜(M1),通过使用掩膜(M1)对掩膜形成用功能层(14)进行干蚀刻、在掩膜形成用功能层(14)上形成凹凸图形(P3),从而在磁性层(13)上形成掩膜(M2)。
搜索关键词: 形成 方法 用功 蚀刻 信息 记录 媒体 制法
【主权项】:
1.一种掩膜形成方法,其特征在于,将蚀刻对象体覆盖并形成具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层,再将该A掩膜形成用功能层覆盖并形成B掩膜形成用功能层,然后,通过规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形,从而在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜,通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻,在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形,从而在所述蚀刻对象体上形成A掩膜。
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