[发明专利]磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法无效
| 申请号： | 200410083132.1 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1637868A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 猪又明大;安东尼·阿扬;田口润;松本幸治;山岸亘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。一种磁记录介质，其包括：第一磁层；以及形成在所述第一磁层上的第二磁层。所述第一磁层和所述第二磁层之间进行交换耦合，并且，它们的磁化方向相互反平行。所述第一磁层和所述第二磁层的净残留面积磁化强度由下面的公式表示：|Mr1×t1－Mr2×t2|，其中Mr1和Mr2分别表示所述第一磁层和所述第二磁层的剩余磁化强度，t1和t2表示它们各自的膜厚；并且第一温度下的净残留面积磁化强度大于比所述第一温度低的第二温度下的净残留面积磁化强度。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 磁存储器 再生 信息 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，其包括：第一磁层；和形成在所述第一磁层上的第二磁层，其中所述第一磁层和所述第二磁层之间进行交换耦合，并且它们的磁化方向相互反平行；通过以下公式表示所述第一磁层和所述第二磁层的净残留面积磁化强度：|Mr1×t1-Mr2×t2|其中Mr1和Mr2分别表示所述第一磁层和所述第二磁层的剩余磁化强度，t1和t2表示它们各自的膜厚；并且第一温度下的净残留面积磁化强度大于比所述第一温度低的第二温度下的净残留面积磁化强度。
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