[发明专利]垂直磁记录介质、磁记录器和垂直磁记录介质的制备方法无效
申请号: | 200410083146.3 | 申请日: | 2004-09-30 |
公开(公告)号: | CN1684150A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 杉本利夫;涡卷拓也;田中厚志 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;G11B5/84 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 经志强;张浴月 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种垂直磁记录介质,包括衬底、形成在该衬底上的软磁性衬层、形成在该软磁性衬层上的磁通限制层、形成在该磁通限制层上的中间层,以及形成在该中间层上的垂直磁化膜的记录层,其中,该磁通限制层部分由多个软磁部分和形成于相邻磁道区之间的非磁性部分组成,每个软磁部分沿多个磁道区的一个磁道区形成,该中间层由非磁性材料形成,并形成为能够覆盖该软磁部分和该非磁性部分的表面。 | ||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 磁记录器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种垂直磁记录介质,其具有记录层,该记录层包括通过磁头记录信息的磁道区,和分隔所述磁道区和相邻磁道区的内磁道区,其中,该相邻磁道区的位置在所述磁道区的宽度方向上偏离于所述磁道区,所述磁道区和所述内磁道区磁性地形成在所述磁记录层中,所述磁记录介质包括:衬底;形成在所述衬底上的软磁性衬层;形成在所述软磁性衬层上的磁通限制层;形成在所述磁通限制层上的中间层;以及形成在所述中间层上的垂直磁化膜的记录层;其中,所述磁通限制部分由多个软磁部分和非磁性部分组成,其中每个该软磁部分沿所述多个磁道区的一个磁道区形成,该非磁性部分形成于所述磁道区和相邻磁道区之间;所述中间层由非磁性材料组成,并形成为覆盖所述软磁部分和所述非磁性部分的表面。
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