[发明专利]化学机械研磨工艺无效
| 申请号： | 200410083234.3 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1755901A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 许嘉麟;蔡胜群 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有高产出能力的化学机械研磨工艺。首先，将形成有金属层以及阻挡层金属内连线的晶片加载CMP机中，接着，利用一第一研磨垫，在相同的研磨速率下将金属层研磨掉，直到暴露出下方的阻挡层，其中分散于第一研磨垫上的第一研磨浆对阻挡层具有高研磨选择比。经过前述的第一研磨步骤后，接着进行第二研磨步骤，利用一第二研磨垫以及第二研磨浆，将暴露出的阻挡层研磨去除。根据本发明，第一研磨浆的研磨选择比(铜对阻挡层)需至少大于30，优选大于100。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨工艺，包括下列步骤：提供形成有金属层以及阻挡层金属内连线的晶片；进行第一研磨步骤，利用一第一研磨垫，在固定的研磨速率下将金属层研磨掉，直到暴露出下方的阻挡层，其中分散于第一研磨垫上的第一研磨浆对阻挡层具有高研磨选择比；以及进行第二研磨步骤，利用一第二研磨垫以及第二研磨浆，将暴露出的阻挡层研磨去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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