[发明专利]金属碳化物衬底表面的处理方法及这种金属碳化物衬底

摘要

金属碳化物衬底的表面的处理方法，所述的金属碳化物衬底用于半导体制造工艺。本发明也涉及用根据本发明的方法处理的用于半导体制造工艺的金属碳化物衬底。根据本发明，所述的方法包括使用反应性气体混合物选择性蚀刻所述金属碳化物衬底表面的步骤，由此在所述的金属碳化物衬底上形成碳表面层，并除去在所述金属碳化物衬底上生成的所述碳表面层。因而，用根据本发明的方法步骤，能够获得具有表面结构的金属碳化物衬底，该表面结构遵从关于如半导体制造工艺中所需的尺寸和纯度的高标准。尤其是，根据本发明步骤处理的金属碳化物衬底非常适合作为用于搬运及容纳半导体晶片的晶片舟，在该半导体晶片上，在精确、优良控制工作条件(温度、压力和真空)下，完成半导体制造过程的后续处理工艺(例如半导体层淀积或温度退火)。

主权项

1、一种处理金属碳化物衬底表面的方法，所述的金属碳化物衬底用在半导体制造过程中，所述的方法包括使用反应性气体混合物选择性蚀刻所述金属碳化物衬底表面，由此在所述的金属碳化物衬底上形成碳表面层，以及除去生成在所述金属碳化物衬底上的所述碳表面层。