[发明专利]层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410083359.6 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1604320A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 臼井良辅;水原秀树;中村岳史 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜，再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。 | ||
| 搜索关键词： | 层积 半导体 芯片 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：基件；导电路，其设在所述基件中；绝缘膜，其覆盖所述基件的至少一部分；垫片电极，其设在所述基件表面或所述绝缘膜表面，连接所述导电路；半导体芯片，其形成在所述绝缘膜上；导电部件，其电连接所述垫片电极及所述半导体芯片，其中，所述垫片电极具有电极膜及在其表面形成的导电性保护膜，所述导电部件的一端连接所述导电性保护膜。
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