[发明专利]包括多个激光振荡部的单片多波长激光元件及其制造方法无效
申请号: | 200410083363.2 | 申请日: | 2004-09-30 |
公开(公告)号: | CN1604414A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 辰巳正毅 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01S5/223 | 分类号: | H01S5/223;H01S5/026 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开一种包括多个激光振荡部的单片多波长激光元件及其制造方法,所述单片多波长激光元件包括:衬底(101),带有脊状部分的第一波长激光振荡部(102),和带有脊状部分的第二波长激光振荡部(103),并且第一波长激光振荡部(102)和第二波长激光振荡部(103)均包括:由覆盖脊状部分的侧面并延伸到与脊状部分的底面相连的平面的至少一部分区域的半导体薄膜构成的电流阻止层(131);和覆盖在电流阻止层(131)上的绝缘层(132),其由具有比电流阻止层(131)低的折射率的材料制成的绝缘性电介质薄膜构成。 | ||
搜索关键词: | 包括 激光 振荡 单片 波长 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单片多波长激光元件,包括:衬底(101);带有脊状部分的第一波长激光振荡部(102);和带有脊状部分的第二波长激光振荡部(103),其中所述第一波长激光振荡部(102)和所述第二波长激光振荡部(103)各自包括:电流阻止层(131),由覆盖所述脊状部分的侧面并延伸到与所述脊状部分的底面相连的平面的至少一部分区域的半导体薄膜构成,以及由绝缘性电介质薄膜构成的绝缘层(132),其覆盖所述电流阻止层(131),并由具有比所述电流阻止层(131)低的折射率的材料制成。
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