[发明专利]发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200410083438.7 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1604351A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 萩本和德 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了即使包含发光层部的化合物半导体层极薄、且产生弯曲时，仍能够在不致产生裂痕及缺口的前提下确实地进行与元件基板间的贴合的发光元件的制造方法。该方法是将化合物半导体层50与元件基板7重叠制得层压体130，以于第一加压构件51的金属主体51a与层压体130的第一主表面之间及第二加压构件52的金属主体52a与层压体130的第二主表面之间两方的至少任一方、介设热塑性高分子材料构成的加压缓冲层150、111的状态，在分别具有金属主体51a、52a的第一加压构件51与第二加压构件52之间配置该层压体130。然后，以可软化加压缓冲层150、111的贴合温度来加热层压体130，并隔着软化的加压缓冲层150、111对该层压体130加压，藉此在第一加压构件51与第二加压构件52之间进行化合物半导体层50与元件基板7的贴合。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、发光元件的制造方法，它是在具有发光层部的III-V族化合物半导体构成的化合物半导体层贴合元件基板而制得发光元件的方法，其特征在于，将前述化合物半导体层与前述元件基板重叠制得层压体，以于第一加压构件的金属主体与前述层压体的第一主表面之间及第二加压构件的金属主体与前述层压体的第二主表面之间两方的至少任一方、介设热塑性高分子材料构成的加压缓冲层的状态，在分别具有金属主体的第一加压构件与第二加压构件之间配置该层压体，以可软化前述加压缓冲层的贴合温度来加热前述层压体，并隔着软化的前述加压缓冲层对该层压体加压，藉此在前述第一加压构件与前述第二加压构件之间进行前述化合物半导体层与前述元件基板的贴合。
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