[发明专利]化合物半导体及其制造方法和半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410083600.5 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1606203A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 大西俊一;井上谦一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体及其制造方法，边添加作为p型掺杂剂的镁(Mg)，边通过晶粒生长，在由GaAs构成的基板(10)上形成由AlGaInP构成的第一半导体层(11)，接着，在第一半导体层(11)上，以不添加镁的方式生长第二半导体层(12)。由此，第二半导体层可以防止由镁引起的不需要的掺杂(存储效应)。因此根据本发明的半导体制造方法制造的半导体，可以防止在III－V族化合物半导体的p型掺杂剂中使用镁(Mg)的时候的存储效应，从而可以使用控制性优良的p型掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体的制造方法，其特征是：包括边添加镁边形成含磷的第一化合物半导体层的工序(a)和以不添加镁的方式在所述第一化合物半导体层上形成所述形成第二化合物半导体层的工序(b)。
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