[发明专利]在未构图的连续磁层中存储数据的系统和方法有效
| 申请号： | 200410083917.9 | 申请日： | 2004-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1612262A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | S·P·帕金 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14;G11C11/15;H01L29/82;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过用铁磁性材料中畴壁固有的自然特性在未构图的磁膜上写入数据，在未构图的磁膜中存储数字信息。通过磁隧道结(MTJ)，从未构图的磁膜中读出数据。为了达到足够的热稳定性，改变这些磁区的取向所需的磁场可以比由流过导线的电流提供的磁场大得多。通过在两个磁畴壁之间的边界处产生的畴壁边缘磁场，获得这种较强的磁场。通过相邻磁导线中来自磁畴壁的边缘磁场写入磁区。使这些磁导线接近将要写入磁存储区域的磁存储层。 | ||
| 搜索关键词： | 构图 连续 磁层中 存储 数据 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种数据存储装置，包括：磁膜；至少一个写入元件，包括在磁膜附近设置的磁道；及其中利用磁道中来自磁畴壁的边缘磁场选择性地改变数据区中的磁矩方向，将数据位选择性地写入到磁膜的数据区中。
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