[发明专利]光刻制程、掩膜版及其制造方法有效
| 申请号： | 200410083999.7 | 申请日： | 2004-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1658068A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林本坚;陈政宏;陈俊光;高蔡胜;刘如淦;施仁杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻制程、掩膜版及其制造方法，该掩膜版可用于光刻制程。其中，掩膜版包括一个透明基板和一个形成有至少一个开口的吸收层。此外，掩膜版还包括一个波长缩短材料层，设置于开口之中。该波长缩短材料层的厚度大约介于吸收层厚度至光刻制程所用光线的波长的10倍之间。此外，掩膜版还可以包括一个减反射涂布层。本发明提供的掩膜版，可以在开口尺寸保持不变的同时降低光的衍射作用，从而提高成像的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻制 掩膜版 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掩膜版，用于光刻制程中照射特定波长的光线以形成一个图形，其特征在于所述掩膜版包括：一个透明基板；一个吸收层，紧邻于所述透明基板，所述吸收层形成有至少一个开口；以及一个波长缩短材料层，设置于所述开口之中，其中所述波长缩短材料层与所述吸收层形成一个大体上为平面的表面。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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