[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200410084013.8 | 申请日： | 2004-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1661799A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | K·库马尔;T·达尔顿;L·克莱文杰;A·考利;D·C·拉图利普;M·霍因基斯;杨智超;林义雄;E·卡尔塔里奥格鲁;M·瑙约克;J·沙赫特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件。绝缘层包括第一介质材料和第二介质材料，第二介质材料不同于第一介质材料。在第一介质材料中形成具有第一图形的第一导电区，在第二介质材料中形成具有第二图形的第二导电区，第二图形不同于第一图形。第一介质材料和第二介质材料中的一个包括有机材料，另一个介质材料包括无机材料。第一和第二介质材料中的一个相对于另一个具有蚀刻选择性。还公开了在晶片保留在室中的同时清洁半导体晶片处理室的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一绝缘层，第一绝缘层包括第一介质材料和在第一介质材料上形成的第二介质材料，第二介质材料包括不同于第一介质材料的材料；多个第一导电区，形成于第一介质材料中，第一导电区包括第一图形；以及多个第二导电区，形成于第二介质材料中，第二导电区包括第二图形，第二图形不同于第一图形。
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