[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410084033.5 | 申请日： | 2004-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1763975A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张世昌 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 包红健 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制造方法，此薄膜晶体管的制造方法是首先依顺序形成多晶硅层、栅绝缘层以及栅极材料层，接着在栅极材料层上形成图形化光阻层，再以此图形化光阻层为蚀刻掩膜以定义出栅极。形成栅极之后，图形化光阻层之部分底面会与栅极接触。接着，再以图形化光阻层为掩膜，对栅绝缘层进行各向异性蚀刻，以使栅绝缘层在不同的部位具有不同的厚度。在移除图形化光阻层之后，以栅极为掩膜进行掺杂工艺，而在厚度较厚之栅绝缘层下方的多晶硅层中形成轻掺杂漏极区，以及在厚度较薄之栅绝缘层下方的多晶硅层中形成源极/漏极区。此方法以一道光罩及工艺同时形成对称于栅极的轻掺杂漏极区，因此可降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征是包括：多晶硅层，设置在基板上，且该多晶硅层中具有信道区、位于该信道区两侧的源极区/漏极区以及位于该通道区与该源极区/漏极区之间的轻掺杂漏极区；栅绝缘层，设置在该基板上，并覆盖该多晶硅层，且该栅绝缘层包括第一部位以及第二部位，其中该栅绝缘层之该第一部位位于该通道区与该轻掺杂漏极区的上方，而该栅绝缘层之该第二部位位于该栅绝缘层之该第一部位的两侧且位于该源极/漏极区之上方，且该栅绝缘层之该第一部位的厚度大于该栅绝缘层之该第二部位的厚度；以及栅极，设置在该信道区之正上方的该栅绝缘层上。
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