[发明专利]强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器有效
| 申请号： | 200410084106.0 | 申请日： | 2004-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1607650A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 木岛健 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/82;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有优良结晶品质的强电介质膜的制造方法，及根据此制造方法获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法包括：形成强电介质初始核层(54)的步骤，其利用第一强电介质原料的溶液，通过水热电极沉积法沉积在电极；使第二强电介质原料的粒子带电的步骤；形成强电介质材料膜(50)的步骤，其通过移动电极沉积法使带电的第二强电介质原料的粒子沉积在所述强电介质初始核层(54)上；对所述强电介质材料膜(50)进行热处理的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 制造 方法 电容器 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种强电介质膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：形成强电介质初始核层的步骤，其利用第一强电介质原料的溶液，通过水热电极沉积法沉积在电极；使第二强电介质原料的粒子带电的步骤；形成强电介质材料膜的步骤，其通过移动电极沉积法使带电的第二强电介质原料的粒子沉积在所述强电介质初始核层上；对所述强电介质材料膜进行热处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
