[发明专利]在晶体内部写入套刻光栅的方法无效
| 申请号： | 200410084248.7 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1603960A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵全忠;邱建荣;赵崇军;朱从善 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在晶体内部写入套刻光栅的方法，将晶体材料放在计算机操纵的三维平台上，将由飞秒激光器发出的激光经过显微物镜聚焦到晶体内部，由于光学双折射现象发生，飞秒激光在晶体内部产生两个聚焦点，按设定的程序移动三维平台，则这两个聚焦点在晶体内部形成套刻的光栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 内部 写入 光栅 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在晶体内部写入套刻光栅的方法，其特征在于该方法包括下列步骤：①将各向异性晶体放在计算机操纵的三维平台上；②将由飞秒激光器发出的激光经过显微物镜聚焦到晶体内部，产生两个聚焦点；③按设定的程序移动三维平台，则这两个聚焦点在晶体内部形成套刻的光栅结构。
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