[发明专利]极弱静电荷电量的测量方法

摘要

一种极弱静电荷电量的测量方法，特别适用于荷电量小于10－16库仑的弱电场的测量，待测样品厚度小于或等于500nm。首先将待测样品置于电子显微镜中，拍摄待测样品的电子全息图，再将在电子显微镜中拍好的、带有待测样品电子全息图的电子干板，置放在光学马赫－陈特尔干涉仪上，进行位相差放大，获得干涉图，读取干涉图中的干涉条纹数，就可以获得待测样品的电场及荷电量。与在先技术相比，本发明测量方法的灵敏度较高，能够测量极弱微电场及其荷电量。

主权项

1、一种极弱微静电荷电量的测量方法，其特征在于它包括下列步骤：<1>准备由含电场及电子构成的待测样品，待测样品的厚度小于或等于500nm；<2>将上述待测样品置于电子显微镜中，拍摄待测样品的电子全息图；<3>将上述在电子显微镜中拍摄到的、带有待测样品电子全息图的电子干板，置放在光学马赫—陈特尔干涉仪上，进行位相差放大，获得干涉图，读取干涉图中的干涉条纹数目N，利用下列公式求得待测样品的荷电量为$Q=\frac{\lambda V_a}{K}[\mathrm{arcsinh}\frac{M_1{M}_{2}a}{\sqrt{x_1^2+y_1^2}}-\mathrm{arcsinh}\frac{M_1{M}_{2}a}{\sqrt{x_2^2+y_2^2}}]$ 式中：M1、M2为电子显微镜放大倍数和重现波段光学放大倍数 Va为电子显微镜加速电压，K＝1/4πε0＝9×109 λ为电子德布罗意波长，a为荷电样品的直径。