[发明专利]在γ－LiAlO2衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 200410084404.X | 申请日： | 2004-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1635191A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 邹军;周圣明;徐军;夏长泰;苏凤莲;李抒智;彭观良;王银珍;刘世良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/16;H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在γ－LiAlO2单晶衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法，包括如下具体步骤：<1>将清洗的双面抛光或单面抛光的γ－LiAlO2衬底及纯度优于99.99％的ZnO单晶或多晶靶材送入脉冲激光淀积系统；<2>将腔内抽成高真空，真空度≥0.1pa，然后充入流动高纯氧气，其气压≥100mTorr；<3>对衬底进行加热，升温至400～650℃，KrF准分子激光通过透镜聚光，经光学窗口照射到装置内的ZnO靶材上，靶材表层分子熔蒸后淀积在γ－LiAlO2单晶衬底上成膜，缓慢降温后即可得到ZnO单晶薄膜。本方法可以得到质量优异的ZnO单晶薄膜，方法简单、成本较低，有广阔的应用前景和市场潜力。 | ||
| 搜索关键词： | lialo sub 衬底 制备 zno 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在γ-LiAlO2单晶衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法，其特征在于包括如下具体步骤：<1>将清洗的双面抛光或单面抛光的γ-LiAlO2衬底及纯度优于99.99％的ZnO单晶或多晶靶材送入脉冲激光淀积系统；<2>将腔内抽成高真空，真空度≥0.1pa，然后充入流动高纯氧气，其气压≥100mTorr；<3>对衬底进行加热，升温至400～650℃，KrF准分子激光通过透镜聚光，经光学窗口照射到装置内的ZnO靶材上，靶材表层分子熔蒸后淀积在γ-LiAlO2单晶衬底上成膜，缓慢降温后即可得到ZnO单晶薄膜。
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