[发明专利]一种合成甲基氯硅烷的组合方法有效
| 申请号： | 200410084421.3 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1634936A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 范宏;邵月刚;谭军;李伯耿;任不凡;卜志扬;詹波;王雪飞 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;浙江新安化工集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/12 | 分类号： | C07F7/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种合成甲基硅硅烷的组合方法。它用有机硅单体(CH3)2SiCl2生产过程中产生的高沸物、低沸物或高沸物和低沸物为主要原料，与氯甲烷共同气化在搅拌床—固定床组合反应器中反应合成通式为(CH3)mSiCl4－m(m为1～3的正整数)的甲基氯硅烷单体；搅拌床反应器内装填铝粉，其装料系数为0.3～0.8，搅拌床反应温度为250～400℃，搅拌转速为60r/min～200r/min，搅拌床反应压力为0.1～1.0MPa；固定床反应器内填有固体路易斯酸催化剂，反应温度为250～400℃，反应压力为0.1～1.5MPa；氯甲烷与高沸物、低沸物或高沸物和低沸物质量比为1～10∶1。利用本发明提供的方法能以较低成本生产甲基氯硅烷单体产物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 甲基 硅烷 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种合成甲基氯硅烷的组合方法，其特征在于，它是以有机硅单体(CH3)2SiCl2生产过程中产生的高沸物、低沸物或高沸物和低沸物为主要原料，与氯甲烷共同气化在搅拌床-固定床组合反应器中反应合成通式为(CH3)mSiCl4-m(m为1～3的正整数)的甲基氯硅烷单体；搅拌床反应器内装填铝粉，其装料系数为0.3～0.8，搅拌床反应温度为250～400℃，搅拌转速为60r/min～200r/min，搅拌床反应压力为0.1～1.0MPa；固定床反应器内填有固体路易斯酸催化剂，反应温度为250～400℃，反应压力为0.1～1.5MPa；氯甲烷与高沸物、低沸物或高沸物和低沸物质量比为1～10∶1。
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