[发明专利]一种合成甲基氯硅烷的方法

摘要

本发明公开了一种合成甲基氯硅烷的方法。它用有机硅单体(CH₃)₂SiCl₂生产过程中产生的高沸物、低沸物或高沸物和低沸物为主要原料，与氯甲烷在填充铝粉的搅拌床反应器中反应合成通式为(CH₃)_mSiCl_4－m (m为1～3的正整数)的甲基氯硅烷单体，搅拌床反应温度为250～400℃，搅拌转速为60r/min～200r/min，搅拌床反应压力为0.1～1.0MPa，搅拌床中铝粉的装料系数为0.3～0.9，氯甲烷与高沸物、低沸物或高沸物和低沸物质量比为1～10∶1。本发明通过搅拌可使反应物的床层传质与传热得到良好的改善，减少反应过程中因铝粉积炭失活对反应速率及产物含量的影响，反应过程中不需添加其它催化剂也可获得较高的反应活性。未反应的氯甲烷尾气可通过冷冻分离进行循环使用。利用本发明提供的方法能以较低成本生产甲基氯硅烷单体。

主权项

1.一种合成甲基氯硅烷的方法，其特征在于，用有机硅单体(CH3)2SiCl2生产过程中产生的高沸物、低沸物或高沸物和低沸物为主要原料，与氯甲烷在填充铝粉的搅拌床反应器中反应合成通式为(CH3)mSiCl4-m(m为1～3的正整数)的甲基氯硅烷单体，搅拌床反应温度为250～400℃，搅拌转速为60r/min～200r/min，搅拌床反应压力为0.1～1.0MPa，搅拌床中铝粉的装料系数为0.3～0.9，氯甲烷与高沸物、低沸物或高沸物和低沸物质量比为1～10∶1。