[发明专利]独石型片式石英晶体频率器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200410084466.0 申请日: 2004-11-23
公开(公告)号: CN1780141A 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: 侯诗益 申请(专利权)人: 上海晶赛电子有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/19
代理公司: 上海科琪专利代理有限责任公司 代理人: 夏永兴
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种独石型片式石英晶体频率器件及其制造方法。一种独石型片式石英晶体频率器件,包括上盖板(1)、下盖板(2)、晶片(3)、上盖板凹坑(4)、下盖板凹坑(5),还包括内电极(7)和外电极(8),该制造方法如下:一、制作两片带m×n个列阵凹坑的陶瓷盖板,二、将晶片用导电胶粘到下盖板相应位置,当下盖板所有位置都贴满晶片后,放到专用粘片工作台和上盖板粘合,三、将复合片按要求切割成产品单元;四、将切割后产品单元装入专用蒸发夹具,进行端面电极蒸发,引出产品单元内电极,使内、外电极导通,形成独石型片式器件。本发明不仅结构简单、尺寸小、气密性好,而且可靠;同时制造该频率器件方法不仅简单,而且制造成本低、效率高。
搜索关键词: 独石型片式 石英 晶体 频率 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种独石型片式石英晶体频率器件,包括上盖板、下盖板和晶片,在上盖板和下盖板的内侧相向面上分别开有上盖板凹坑和下盖板凹坑,晶片位于上盖板凹坑和下盖板凹坑中,其特征在于该频率器件的空腔由上、下盖板上的凹坑组成,上盖板的凹坑大而深,下盖板的凹坑小而浅;同时该频率器件还包括内电极和外电极,外电极位于上、下盖板外侧面上,内电极位于下盖板内侧面的凹坑两侧。
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