[发明专利]硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用有效
| 申请号： | 200410084490.4 | 申请日： | 2004-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1632023A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;宋志棠;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GeSbTe化学机械抛光(CMP)的无磨料抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP无磨料抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、抗蚀剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe (1－x－y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe (1－x－y)，(0≤x≤0.5，0≤y≤1.0，且 x、y不同时为0)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 材料 化学 机械抛光 磨料 抛光 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于硫系化合物相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液，其特征在于无磨料抛光液含有：①一种或两种氧化剂。其含量为0.5～20.0wt％；②至少一种螯合剂，其含量为0.1～10.0wt％；③一种或两种抛光促进剂，其含量为0.1～5.0wt％；④至少一种抗蚀剂，其含量为0.05～5.0wt％；⑤一种或两种表面活性剂，其含量为0.01～2.0wt％；⑥一种消泡剂，其含量为20～200ppm；⑦一种杀菌剂，其含量为10～50ppm；⑧以及pH调节剂和作为溶剂的去离子水，pH值为3～12。
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