[发明专利]用于低压非挥发存储器的字线升压电路有效
申请号: | 200410084518.4 | 申请日: | 2004-11-24 |
公开(公告)号: | CN1779861A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 朱瑶华 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于低压非挥发存储器的字线升压电路,利用VT值作为判断的电压,使电源电压VDD和字线电压Vcp在同一路判断,并且反馈控制升压电路,当电源电压比较低时,把字线电压Vcp升到一定值,当电源电压足够高时,就不需要提高字线电压Vcp,使整个系统达到稳定状态,得到需要的字线电压Vcp。本发明电路结构简单、可以减少产品中的电路版图面积、功耗小。 | ||
搜索关键词: | 用于 低压 挥发 存储器 升压 电路 | ||
【主权项】:
1、一种用于低压非挥发存储器的字线升压电路,包括一升压电路,其特征在于:一PMOS管MP2与电流源Ic串接在电源VDD与地线之间,一PMOS管MP3与一NMOS管MN3串接在电源VDD与地线之间,一NMOS管MN4与一PMOS管MP5、NMOS管MN6、MN7串接在电源VDD与地线之间,PMOS管MP2的栅极与其漏极、PMOS管MP3的栅极连接,NMOS管MN3的栅极与NMOS管MN7的栅极、漏极连接,PMOS管MP5的栅极、漏极与NMOS管MN6的栅极、源极相连接,NMOS管MN4的栅极与电源VDD连接,反相器F1、F2串联后,反相器F1的输入端与PMOS管MP3漏极、NMOS管MN3漏极的接点A连接,反相器F2的输出端作为升压控制信号输入升压电路,升压电路输出的字线电压Vcp连接至NMOS管MN4的源极与PMOS管MP5的源极的接点;当电源VDD大于NMOS管MN4、PMOS管MP5、NMOS管MN6、MN7的VT值之和时,A点电压比较低,升压控制信号输出为低,升压电路不工作,当电源VDD小于上述四个管子的VT值之和时,A点电压比较高,升压控制信号输出为高,升压电路开始工作,使字线电压Vcp升压,当字线电压Vcp电压升高到PMOS管MP5、NMOS管MN6、MN7的VT值之和时,A点电压下降,升压控制信号输出升高,升压电路停止工作,字线电压Vcp升压停止。
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