[发明专利]用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法无效
申请号: | 200410084556.X | 申请日: | 2004-11-25 |
公开(公告)号: | CN1632699A | 公开(公告)日: | 2005-06-29 |
发明(设计)人: | 李以贵;宋康;陈水良 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法,用于微细加工技术领域,本发明由于x射线的光强分布是呈高斯分布的,即x射线束浓度是位置的函数,并且x射线的剂量通过开普敦窗口的大小来精确控制,用PMMA作为光刻胶,用x射线曝光,在相同的曝光时间中,曝光深度随着位置的改变也呈高斯分布,从而在光刻胶上得到不同深宽比的微机械构件。本发明曝光时不同的位置会得到不同的曝光量,因此只需一步曝光就可到到深宽比不同的微结构。本发明可应用于复杂微机械或微光学结构的制作,可以减少工艺步骤,节省掩膜制作成本。 | ||
搜索关键词: | 射线 曝光 制造 不同 微机 构件 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法,其特征在于,由于x射线的光强分布是呈高斯分布的,即x射线束浓度是位置的函数,并且x射线的剂量通过开普敦窗口的大小来精确控制,用聚甲基丙烯酸甲酯作为光刻胶,用x射线曝光,在相同的曝光时间中,曝光深度随着位置的改变也呈高斯分布,从而在光刻胶上得到不同深宽比的微机械构件。
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