[发明专利]双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法无效
申请号: | 200410084641.6 | 申请日: | 2004-11-26 |
公开(公告)号: | CN1648289A | 公开(公告)日: | 2005-08-03 |
发明(设计)人: | 赵志伟;姜本学;徐晓东;宋平新;徐军;王晓丹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28;C30B15/00;H01S3/16 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法,该晶体的结构式为:Ca3z/2Yb3yGd3(1-yz/2)Ga5-xB>12,主要是采用氧化钆、氧化镓、氧化镱、氧化铬为原料按照比例采用固相合成法制备原料,在98%氮气+2%氧气条件下采用提拉法生长自调Q激光晶体。本发明方法制备的双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体,在垂直于晶体生长方向的平面内,离子浓度差小于1%,具有大尺寸高质量的特点。 | ||
搜索关键词: | 双掺铬镱钆镓 石榴石 自调 激光 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】:
1、一种双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体,其特征在于该晶体的结构式为:Ca3z/2Yb3yGd3(1-y-z/2)Ga5-xCrxO12。
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