[发明专利]一种金属电容的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200410084653.9 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1779941A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/027;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘清富 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明有关一种金属电容的刻蚀方法，金属电容包括下部电极、处于下部电极上方的介质层，介质层由氮化硅组成，在介质层上方具有氮化钛形成的上部电极，为了刻蚀方便，在金属电容的上方具有光刻胶，首先进行顶层氮化钛层的主刻蚀，反应腔内的反应气体包括氯气、三氟甲烷及稀释气体，当检测到氟离子的浓度降低时，停止主刻蚀；接着进行氮化钛的过刻蚀及介质层的部分刻蚀，直至氟离子的浓度不再降低；最后进行介质层的全面刻蚀，通过刻蚀速率计算刻蚀时间，刻蚀到一定量时停止刻蚀。上述方式可以精确控制刻蚀时间，达到准确的刻蚀精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 电容 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属电容的刻蚀方法，金属电容包括下部电极、处于下部电极上方的介质层，介质层由氮化硅组成，在介质层上方具有氮化钛形成的上部电极，为了刻蚀方便，在金属电容的上方具有光刻胶，其特征在于包括以下步骤：第一步，进行顶层氮化钛层的主刻蚀，反应腔内的反应气体包括氯气、三氟甲烷及稀释气体，当检测到氟离子的浓度降低时，停止主刻蚀；第二步，氮化钛的过刻蚀及介质层的部分刻蚀，直至氟离子的浓度不再降低；第三步，介质层的全面刻蚀，通过刻蚀速率计算刻蚀时间，刻蚀到一定量时停止刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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