[发明专利]核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法无效

专利信息
申请号: 200410084748.0 申请日: 2004-12-02
公开(公告)号: CN1632933A 公开(公告)日: 2005-06-29
发明(设计)人: 桑文斌;闵嘉华;王昆黍;秦凯丰;樊建荣;钱永彪 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L21/46 分类号: H01L21/46;H01L21/30
代理公司: 上海上大专利事务所 代理人: 顾勇华
地址: 200072*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法,具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法,属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化,包括有四个工艺程序,其特征为,在最后的表面钝化程序中采用两步法,两步法的钝化工艺如下:先用KOH-KCl溶液进行表面处理,获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面,然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层,这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面,又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层,从而可改善碲锌镉探测器的性能。
搜索关键词: 探测器 碲锌镉 晶片 表面 钝化 方法
【主权项】:
1.一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法,该方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化,包括有四个工艺程序,其特征为,在最后的表面钝化程序中采用两步法,该方法的具体工艺程序如下:a.碲锌镉晶体的抛光:先将碲锌镉晶片用金刚砂进行粗抛,使表面平整,粗抛后将晶片洗净,放入盛有去离子水的烧杯中,进行超声振荡,以去除晶片表面的沾污物和杂质粒子,然后对晶片进行细抛,直至晶片表面呈镜面;随后,再次用超声振荡去除表面杂质,将晶片浸在无水甲醇中待腐蚀;b.晶片表面腐蚀:抛光后的晶片先采用BM腐蚀液,即5%Br+甲醇组成的腐蚀液,进行表面化学腐蚀,时间为1-2分钟;将经过BM腐蚀液腐蚀后的晶片在甲醇中润洗后再使用LB腐蚀液,即2%Br+20%乳酸+乙二醇组成的腐蚀液,对晶片进行腐蚀,以增加晶片表面光滑程度;然后将晶片在甲醇中超声清洗以去除表面残余Br以及其他杂质;c.金电极的沉积:将腐蚀好的晶片取出,在N2保护气氛下吹干。采用化学方法镀金、在晶片双面适当部位沉积圆形金电极,其直径约为1-3mm,厚度为200。d.表面钝化:将制备好电极的晶片,采用两步溶液法对其表面进行处理;先用KOH-KCl溶液进行表面处理,KOH和KCl溶液的浓度保持相同,控制在10-20wt%,时间为20-60分钟;接着再用10wt%的NH4F/H2O2混合溶液进行钝化,钝化处理时间为10-30分钟,将完成钝化之后的晶片放入大量去离子水中充分清洗以去除表面残留的各种离子;最后得到表面钝化的碲锌镉晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410084748.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top