[发明专利]一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件

摘要

本发明公开了一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件，包括：阵列探测器光敏元芯片，通过铟柱与阵列探测器光敏元芯片互连的硅信号读出电路，其特征在于：在用于电学互连铟柱区域边添加1～2个较大底面积的降应力铟柱，或在面阵电学互连铟柱2区域外围四周，添加1～2排较大底面积的降应力铟柱。较大底面积的降应力铟柱尺寸的选择及精确定位是通过ANSYS有限元分析软件编程，在PC机WIN2000平台上运行。这种结构可使铟柱焊点应力下降70％左右，可以基本缓解互连封装铟柱焊点应力造成的可靠性降低，并且只需常规工艺就可制备。

主权项

1.一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件，包括：阵列探测器光敏元芯片(1)，通过铟柱(2)与阵列探测器光敏元芯片互连的硅信号读出电路(3)，其特征在于：在用于电学互连铟柱(2)区域边添加1～2个较大底面积的降应力铟柱(4)，或在面阵电学互连铟柱(2)区域外围四周，添加1～2排较大底面积的降应力铟柱(4)。