[发明专利]制作低温多晶硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 200410084917.0 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1614741A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张志雄;陈亦伟;孙铭伟 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/20;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及制作一低温多晶硅薄膜的方法，其包含于一基板上形成一非晶硅薄膜，接着于非晶硅薄膜上形成一隔绝层以及一激光吸收层，并且进行一光刻腐蚀工艺，去除部分的激光吸收层及隔绝层，以暴露出部分的非晶硅薄膜，最后再进行一激光结晶工艺，以使非晶硅薄膜转化成一多晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 低温 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作低温多晶硅薄膜的方法，包括：提供一基板；形成一非晶硅薄膜于该基板上；形成一隔绝层及一激光吸收层于该非晶硅薄膜上；去除部分该激光吸收层及该隔绝层，以暴露出部分的该非晶硅薄膜；以及进行一激光结晶工艺，以使该非晶硅薄膜转化成一多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
