[发明专利]双波长半导体激光发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410084923.6 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1758495A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 邱舒伟;张智松 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双波长半导体激光发光装置及制造方法，此装置包括形成在一基板上的一第一激光发光元件及一第二激光发光元件。制造方法将第二激光发光元件的一有源层堆栈在第一激光发光元件的一上包覆层的上方，使第一激光发光元件与该第二激光发光元件具有一共享电极，并可分别振荡不同波长的激光。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 半导体 激光 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双波长半导体激光发光装置，包括：一基板；一第一激光发光元件，形成在该基板上，该第一激光发光元件具有一第一下包覆层、一第一有源层及一第一上包覆层；以及一第二激光发光元件，形成在该基板上，该第二激光发光元件具有一第二下包覆层、一第二有源层及一第二上包覆层；其中，该第二有源层堆栈在该第一上包覆层的上方，使该第一上包覆层作为该第二激光发光元件的第二下包覆层。
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